SiGe薄膜材料的橢圓偏振光譜研究

采用橢圓偏振光譜(SE)對一系列SiGe樣品進行了研究.確定了SixGe1-x層的厚度和組分;對不均勻的SixGe1-x層,沿厚度方向進行了組分梯度的研究,其結(jié)果與二次離子質(zhì)譜(SIMS)的測試有較好的一致性;成功地表征了器件級絕緣體上的硅鍺(SGOI)樣品的各層結(jié)構(gòu)和SixGe1-x層的組分.

作 者： 李秋俊 馮世娟 田崗紀之 財滿鎮(zhèn)明 LI Qiu-jun FENG Shi-juan N TAOKA S ZAIMA   作者單位： 李秋俊,馮世娟,LI Qiu-jun,FENG Shi-juan(重慶郵電大學,光電工程學院,重慶,400065)

田崗紀之,財滿鎮(zhèn)明,N TAOKA,S ZAIMA(日本名古屋大學,工學研究科結(jié)晶材料專攻,日本,名古屋,464-8603) 

刊 名： 壓電與聲光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： SiGe   橢圓偏振光譜   組分   厚度  

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